浙江嵊泗：重点推进输变电工程基建项目、薄刀咀120光伏直流变电站项目等

【小结】综上所述，浙江重点团队以分散在不同sp2杂化碳基板上的单原子铜为模型，证明了单原子CuN2C2活性位点的几何畸变与ORR活性的关系。

然后，嵊泗综述了制备零维钙钛矿单晶、纳米晶和薄膜的各种方法。然而，推进目前对零维钙钛矿的研究主要集中在材料开发阶段，推进为了进一步促进零维钙钛矿的开发和应用，还需要解决一些挑战：（1）零维钙钛矿的设计原理尚不清楚。

输变（e）使用Cs1+xPbI3+x作为吸收层的器件的J-V曲线。图十一、电工刀咀电站零维钙钛矿在探测器中的应用（a）零维Cs3BiBr6基光电探测器在不同光密度的暗光和光照下的I-V特性。程基（e）Sn阳离子掺杂前后合成的零维Cs4PbBr6钙钛矿型NCs可能的电子双带隙结构示意图。

建项（b）在不同驱动电流下的白色LED的发射光谱。图三、目薄电子结构（a-c）由PBE泛函计算的(C4N2H14Br)4SnBr6、(C4N2H14I)4SnI6和Cs4PbBr6的电子能带结构。

伏直（e）嵌入CsPbBr3NCs的Cs4PbBr6晶体的HRTEM图像。

流变（e）Cs4PbBr6微晶在泵注量为0.079~1.022mJcm-2范围内PL谱的变化。支持***并购，项目促进国内LED产业升级。

2015年，浙江重点我国半导体照明产业整体规模达到4245亿元，但国内LED企业普遍缺少核心技术与品牌，多为代工厂，受全球经济下行影响，有上千家企业倒闭。2006年，嵊泗晶能(江西)光电有限公司应运而生，开始了硅衬底LED技术的产业化之路。

推进金沙江创投联合创始人兼董事总经理伍伸俊说。目前，输变南昌是全球唯一实现硅衬底LED芯片量产的城市。